(2)半导体受激辐射的条件

   半导体激光器是依靠注人载流子工作的，发射激光必须具备以下三个基本条件。

   ①要产生足够的粒子数反转分布，即高能态粒子数大于处于低能态的粒子数。

   ②有一个合适的谐振腔能够起到反馈作用，使受激辐射光子增生从而产生激光振荡。

   ③要满足一定的阙值条件，以使光子增益等于或大于光子的损耗。

   (3)注人式同质结半导体激光器

   注人式同质结GaAs半导体激光器是最早研制成功的半导体激光器。同质结是指P-N结由同一种基质材料(如GaAs)的P璧和N型构成，而注人式是指直接给半导体激光器通电，靠注人电流来激励工作物质的一种泵浦方法。

   图2.11 (a)是这种激光器典型的外形结构，在外壳上有一个输出激光的小窗口，管下端的电极供外接电源用。外壳内是激光管芯.如图2.11(切所示。管芯的形状有多种.图2.11 (c)是台面形管芯的结构示意图。P-N结的厚度仅为几十微米，一般是在N型GaAs衬底上生长一薄层P型GaAs而形成P-N结。

   激光器的谐振腔一般直接利用垂直子P-N结的两个端面。GaAs的折射率n=3.6，对于垂直于端面的光的反射率为32%，为了提高输出功率和降低工作电流,一般使其中一个反射面镀金反膜。