(4)异质结半导体激光器

   研究表明,同质结半导体激光器难以得到低阕值电流和实现室温连续工作，因此人们在此基础上发展了异质结激光器。异质结激光器又分为单异质结(SH)激光器和双异质结(DH)激光器。

   图2.13所示为双异质结激光器的能带、折射率和光强分布。有源区P-GaAs夹在两个宽带隙的Gal-x_, AIzAs层之间，对于这种结构，由于它的对称性,不再局限于只有电子注人。双异质结结构使电子注人和空穴注人都能有效地利用。如果有源区宽度小于载流子的扩散长度,则绝大多数载流子在复合之前均能扩散至有源区。当它们到达异质结时,受到势垒的排斥停留在有源区。如果有源区厚度d比载流子的扩散长度小得多，则载流子就均匀地将有源区填满。对于这种激光器，复合几乎是均匀地发生在有源区内的。

   另外，由于有源区两侧都是宽带材料，有效折射率发生阶层跳跃，使光子被限制在有源区中，光场的分布也是对称的。双异质结构能有效地限制载流子和光子,第2章激光加工基础所以显著地降低了激光器的阙值电流密度，实现激光器的室温连续工作。

   双异质结激光器实现室温连续工作后，突出的间题是如何提高器件的寿命，这可从解决有源区结构和散热间题人手。随着各种需耍的不同，出现了多种结构的双异质结激光器，比较典型的代表为条形DH激光器。